KD*P EO Q-Switch

Voltage ya Wimbi 1/4:3.3 kV

Hitilafu ya Mbele ya Wimbi Iliyopitishwa: <1/8 Wimbi

ICR:>2000:1

VCR:>1500:1

Uwezo:6 pF

Kiwango cha Uharibifu:> 500 MW / cm2 @1064nm, 10ns

WhatsApp Tutumie barua pepe Pakua kama PDF

Maelezo ya Bidhaa

Vigezo vya kiufundi

EO Q Switch hubadilisha hali ya mgawanyiko wa mwanga kupita ndani yake wakati volti inayotumika inaposababisha mabadiliko ya pande mbili kwenye fuwele ya kielektroniki-optic kama vile KD*P.Zinapotumiwa kwa kushirikiana na vidhibiti, seli hizi zinaweza kufanya kazi kama swichi za macho, au swichi za leza Q.
Tunatoa EO Q-Switchs kulingana na uundaji fuwele wa hali ya juu na teknolojia ya kupaka, tunaweza kutoa swichi mbalimbali za urefu wa leza za EO Q zinazoonyesha upitishaji wa hali ya juu (T>97%), kiwango cha juu kilichoharibika (>500W/cm2) na uwiano wa juu wa kutoweka. (>1000:1).
Maombi:
• Mifumo ya laser ya OEM
• Laser za matibabu/vipodozi
• Mifumo mingi ya leza ya R&D
• Mifumo ya leza ya kijeshi na ya anga

Vipengele	Faida
Ubora wa CCI - bei ya kiuchumi	Thamani ya kipekee
KD*P bora kabisa isiyo na matatizo	Uwiano wa juu wa utofautishaji
	Kiwango cha juu cha uharibifu
	Voltage ya chini ya 1/2 ya wimbi
Ufanisi wa nafasi	Inafaa kwa lasers compact
Matundu ya kauri	Safi na sugu sana kwa uharibifu
Uwiano wa juu wa utofautishaji	Kizuizi cha kipekee
Viunganishi vya haraka vya umeme	Ufungaji bora / wa kuaminika
Fuwele za gorofa kabisa	Uenezi bora wa boriti

Voltage ya Wimbi 1/4	3.3 kV
Hitilafu ya Mbele ya Wimbi Iliyopitishwa	<1/8 Wimbi
ICR	>2000:1
VCR	>1500:1
Uwezo	6 pF
Kizingiti cha uharibifu	> 500 MW / cm²@1064nm, 10ns